Infineon FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V
- RS Stock No.:
- 244-5408
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB6,221.67
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,657.19
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 10 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB6,221.67 |
| 2 - 2 | THB6,097.23 |
| 3 - 3 | THB5,975.28 |
| 4 - 4 | THB5,855.75 |
| 5 + | THB5,738.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-5408
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 150A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 750W | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | FS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 150A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 750W | ||
Number of Transistors 6 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Series FS | ||
Automotive Standard No | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.10 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.35 nF
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT Module, 150 A 1200 V
- Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V
- Infineon 150 A 1200 V AG-34MM-1, Clamp
- Infineon FF150R12RT4HOSA1 150 A 1200 V AG-34MM-1, Clamp
- Infineon FS150R12KT4BOSA1 150 A 1200 V Clamp
- Infineon 150 A 1200 V Clamp
- Starpower GD150HFY120C2S Dual IGBT Module 7-Pin Module
- Starpower GD150HFY120C1S Dual IGBT Module 7-Pin Module
