Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
244-5819
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FD150R12RT4HOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

150 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

790 W

Number of Transistors

1

The infineon IGBT modules with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode are the right choice for your design it is suitable for typical applications like high frequency switching applications motor drives, UPS systems.

Electrical features
Extended operation temperature Tvj op
Low switching losses
Low VCEsat
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Mechanical features
Isolated base plate
Standard housing

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง