Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 150 A 1200 V, 35-Pin EconoPACK 3, Clamp

RS Stock No.:: 166-0972
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FS150R12KT4BOSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 150 A 1200 V, 35-Pin EconoPACK 3, Clamp

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 10 ชิ้น)*

THB44,308.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB47,410.15

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 กรกฎาคม 2571 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อถาด*
10 - 10	THB4,430.855	THB44,308.55
20 - 30	THB4,297.929	THB42,979.29
40 +	THB4,168.991	THB41,689.91

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 166-0972
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FS150R12KT4BOSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	150A
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	750W
	Package Type	EconoPACK 3
	Mount Type	Clamp
	Channel Type	Type N
	Pin Count	35
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	17mm
	Length	122mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 150A
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 750W
	Package Type EconoPACK 3
	Mount Type Clamp
	Channel Type Type N
	Pin Count 35
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 17mm
	Length 122mm
	Automotive Standard No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IGBT Module, 1200V Max Collector Emitter Voltage, 150A Max Continuous Collector Current - FS150R12KT4BOSA1

This IGBT module is a power semiconductor device designed to switch and control high-voltage, high-current circuits in industrial power-electronic systems. It operates across a wide temperature span suitable for demanding environments and is housed in a compact clamp-mount package that integrates with standard power assemblies.

Features and Benefits:

• 1200V rating enables high-voltage switching capability
• 150A continuous current supports substantial load handling
• 2.1V Vce(sat) provides reduced conduction losses
• 750W power dissipation allows sustained power throughput
• 35 pins deliver multiple electrical interconnections
• 20V gate-emitter tolerance supports robust gate drive ranges

Applications

• Suitable for traction and motor-drive inverter stages
• Ideal for industrial converters and power supplies
• Used with three-phase inverters in renewable systems
• Can be used for induction heating power modules
• Appropriate for medium-voltage industrial drives

What mounting considerations are required for installation?

It uses a clamp-mounting arrangement that ensures secure mechanical contact and straightforward integration into existing heat-sink assemblies.

How does the device perform in elevated ambient conditions?

Rated to operate up to 150 °C junction temperature, it maintains switching capability across high-temperature duty cycles.

What gate-voltage constraints must be observed during drive design?

The gate-emitter voltage must not exceed 20V to avoid gate-device stress while enabling proper turn-on and turn-off control.

How tolerant is the module to low-temperature deployment?

It functions down to -40 °C, permitting use in cold-start conditions without compromising basic switching performance.