Infineon FP75R12N2T7BPSA1, Type N-Channel IGBT, 75 A 1.2 kV, 31-Pin Module, Through Hole
- RS Stock No.:
- 232-6719
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP75R12N2T7BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB4,043.01
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,326.02
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB4,043.01 |
| 10 - 19 | THB3,962.31 |
| 20 - 29 | THB3,882.83 |
| 30 - 39 | THB3,805.40 |
| 40 + | THB3,729.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 232-6719
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP75R12N2T7BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1.2kV | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 31 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.55V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | FP75R12N2T7 | |
| Height | 21.3mm | |
| Width | 45 mm | |
| Length | 107.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1.2kV | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 31 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.55V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series FP75R12N2T7 | ||
Height 21.3mm | ||
Width 45 mm | ||
Length 107.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's EconoPIM 2, 75 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Also available with PressFIT technology. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.
RoHS-compliant modules
Copper base plate for optimized heat spread
High power density
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 75 A 1.2 kV Through Hole
- Infineon 150 A 1.2 kV Through Hole
- Infineon FS150R12N2T7BPSA1 150 A 1.2 kV Through Hole
- Infineon FP75R12N2T7B11BPSA1 75 A 1200 V Chassis
- Infineon 75 A 1200 V Chassis
- Infineon FS75R12KE3GBOSA1 75 A 1.2 kV Through Hole
- Infineon 75 A 1.2 kV Through Hole
- Infineon FP75R12N2T7BPSA2 75 A 1200 V Panel