Infineon FS75R12KE3GBOSA1 3 Phase Bridge IGBT Module, 100 A 1200 V, 35-Pin Econo3, PCB Mount

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 กล่อง กล่องละ 10 ชิ้น)*

THB51,193.08

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB54,776.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อกล่อง*
10 - 10THB5,119.308THB51,193.08
20 - 30THB4,965.727THB49,657.27
40 +THB4,816.755THB48,167.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
124-8792
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FS75R12KE3GBOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

355 W

Package Type

Econo3

Configuration

3 Phase Bridge

Mounting Type

PCB Mount

Channel Type

N

Pin Count

35

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensions

122 x 62 x 17mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+125 °C

COO (Country of Origin):
CN

IGBT Modules, Infineon


The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.

Package styles include: 62mm Modules, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



IGBT Discretes & Modules, Infineon


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง