Infineon FS75R12KE3GBOSA1, N-Channel IGBT Module, 75 A 1.2 kV, 35-Pin ECONO3, Through Hole
- RS Stock No.:
- 124-8792
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS75R12KE3GBOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 20 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB3,071.62
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 กล่อง กล่องละ 10 ชิ้น)*
THB51,193.08
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB54,776.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อกล่อง* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10 - 10 | THB5,119.308 | THB51,193.08 | - |
| 20 - 30 | THB4,965.727 | THB49,657.27 | THB3,071.62 |
| 40 + | THB4,816.755 | THB48,167.55 | THB12,102.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 124-8792
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS75R12KE3GBOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1.2kV | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 355W | |
| Package Type | ECONO3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 35 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Series | FS75R12KE3G | |
| Width | 62mm | |
| Length | 122mm | |
| Height | 17mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1.2kV | ||
Number of Transistors 6 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 355W | ||
Package Type ECONO3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 35 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Series FS75R12KE3G | ||
Width 62mm | ||
Length 122mm | ||
Height 17mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
IGBT Modules, Infineon
IGBT Discretes & Modules, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 75 A 1.2 kV Through Hole
- Infineon 55 A 1.2 kV Through Hole
- Infineon FP40R12KE3GBOSA1 55 A 1.2 kV Through Hole
- Infineon 55 A 1200 V Clamp
- Infineon FP40R12KT3GBOSA1 55 A 1200 V Clamp
- Starpower GD75FFX170C6S 75 A 1700 V, 35-Pin
- Infineon FP75R12N2T7BPSA1 75 A 1.2 kV Through Hole
- Infineon FF200R12KE3HOSA1 295 A 1.2 kV Surface
