IXYS IXGT30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-268, Surface Mount
- RS Stock No.:
- 192-635
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXGT30N120B3D1
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB599.29
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB641.24
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 298 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB599.29 |
| 8 - 14 | THB584.31 |
| 15 + | THB575.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 192-635
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXGT30N120B3D1
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Package Type | TO-268 | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 16.05 x 14 x 5.1mm | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Maximum Continuous Collector Current 50 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Package Type TO-268 | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 16.05 x 14 x 5.1mm | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
IGBT Discretes, IXYS
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS IXGT30N120B3D1 IGBT 3-Pin TO-268, Surface Mount
- IXYS IXGH30N120B3D1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IGW25N120H3FKSA1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKW50N120CS7XKSA1 Single IGBT 3-Pin TO-247-3, Through Hole
- Infineon IKW25T120FKSA1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKW25N120H3FKSA1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- ROHM RGS50TSX2GC11 Single IGBT 3-Pin TO-247N
- ROHM RGS50TSX2DGC11 Single IGBT 3-Pin TO-247N
