IXYS IXGT30N120B3D1, Type N-Channel IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-268, Through Hole
- RS Stock No.:
- 192-635
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 302-53-420
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXGT30N120B3D1
- ผู้ผลิต:
- IXYS
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB599.29
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB641.24
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 298 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB599.29 |
| 8 - 14 | THB584.31 |
| 15 + | THB575.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 192-635
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 302-53-420
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXGT30N120B3D1
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Package Type | TO-268 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 160ns | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 3.5V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | Mid-Frequency | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Package Type TO-268 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 160ns | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 3.5V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series Mid-Frequency | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS 50 A 1200 V Through Hole
- IXYS 50 A 1200 V Through Hole
- IXYS IXGH30N120B3D1 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon 50 A 1200 V Through Hole
- ROHM RGS50TSX2DGC11 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKW25N120H3FKSA1 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKW50N120CH7XKSA1 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKW25T120FKSA1 50 A 1200 V Through Hole
