Infineon, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 218-4391
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW75N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB2,707.23
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,896.74
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB90.241 | THB2,707.23 |
| 60 - 90 | THB88.279 | THB2,648.37 |
| 120 + | THB86.318 | THB2,589.54 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-4391
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW75N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 198W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.21mm | |
| Length | 21.1mm | |
| Series | IGW75N65H5 | |
| Standards/Approvals | JEDEC, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 198W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.21mm | ||
Length 21.1mm | ||
Series IGW75N65H5 | ||
Standards/Approvals JEDEC, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 120 A.
Higher power density design
50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Mild positive temperature coefficient