Infineon, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 218-4391
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW75N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB2,602.92
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,785.11
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 90 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB86.764 | THB2,602.92 |
| 60 - 90 | THB84.878 | THB2,546.34 |
| 120 + | THB82.992 | THB2,489.76 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-4391
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW75N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 198W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 21.1mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC, RoHS | |
| Height | 5.21mm | |
| Series | IGW75N65H5 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 198W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 21.1mm | ||
Standards/Approvals JEDEC, RoHS | ||
Height 5.21mm | ||
Series IGW75N65H5 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 120 A.
Higher power density design
50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Mild positive temperature coefficient
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 75 A 650 V Through Hole
- Infineon 75 A 650 V Through Hole
- Infineon IGW75N65H5XKSA1 75 A 650 V Through Hole
- Infineon IKZ75N65EH5XKSA1 75 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW75N65EL5XKSA1 75 A 650 V Through Hole
- onsemi 75 A 650 V Through Hole
- onsemi AFGHL75T65SQDC 75 A 650 V Through Hole
- onsemi AFGHL75T65SQ 75 A 650 V Through Hole