Infineon IGW75N65H5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 218-4392
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW75N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB774.96
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB829.205
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 90 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB154.992 | THB774.96 |
| 10 - 10 | THB151.116 | THB755.58 |
| 15 + | THB148.788 | THB743.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-4392
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW75N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 198W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC, RoHS | |
| Height | 5.21mm | |
| Width | 16.13 mm | |
| Length | 21.1mm | |
| Series | IGW75N65H5 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 198W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC, RoHS | ||
Height 5.21mm | ||
Width 16.13 mm | ||
Length 21.1mm | ||
Series IGW75N65H5 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 120 A.
Higher power density design
50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Mild positive temperature coefficient
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 75 A 650 V Through Hole
- Infineon 75 A 650 V Through Hole
- Infineon IKZ75N65EH5XKSA1 75 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW75N65EL5XKSA1 75 A 650 V Through Hole
- onsemi 75 A 650 V Through Hole
- onsemi AFGHL75T65SQDC 75 A 650 V Through Hole
- onsemi AFGHL75T65SQ 75 A 650 V Through Hole
- ROHM RGSX5TS65EGC11 75 A 650 V Through Hole