Infineon, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS Stock No.:: 145-9575
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKW75N65EL5XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB6,186.24

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,619.29

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 150 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 - 30	THB206.208	THB6,186.24
60 - 90	THB201.725	THB6,051.75
120 +	THB197.242	THB5,917.26

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-9575
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKW75N65EL5XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	75A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	536W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.35V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	5.21mm
	Width	21.1 mm
	Series	TrenchStop
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	16.13mm
	Energy Rating	7.22mJ
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 75A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 536W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.35V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 5.21mm
	Width 21.1 mm
	Series TrenchStop
	Standards/Approvals RoHS
	Length 16.13mm
	Energy Rating 7.22mJ
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: MY

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

• Collector-emitter voltage range 600 to 650V

• Very low VCEsat

• Low turn-off losses

• Short tail current

• Low EMI

• Maximum junction temperature 175°C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Infineon, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

IGBT Discretes & Modules, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง