Infineon, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB6,186.24

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,619.29

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 120 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB206.208THB6,186.24
60 - 90THB201.725THB6,051.75
120 +THB197.242THB5,917.26

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
145-9575
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IKW75N65EL5XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

75A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

536W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.35V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

16.13mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

TrenchStop

Height

5.21mm

Energy Rating

7.22mJ

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY

Infineon TrenchStop Series IGBT, 650V Max Collector Emitter Voltage, 75A Max Continuous Collector Current - IKW75N65EL5XKSA1


This IGBT is a high-voltage switching transistor designed for power conversion and control in demanding industrial environments. It operates across an extended temperature range and is supplied in a through-hole TO-247 package for straightforward mounting and heatsink attachment. The device suits applications requiring high collector current handling and efficient switching with low saturation losses.

Features and Benefits:


• 650V blocking capability supports high-voltage switching
• 75A continuous collector current enables high-current operation
• 1.35V low Vce(sat) reduces conduction losses
• 536W maximum power dissipation permits elevated thermal loading
• 20V gate-emitter rating allows robust gate drive margins
• 7.22 mJ energy rating accommodates high-energy switching events

Applications


• Suitable for industrial motor-drive inverters
• Used with power supplies in uninterruptible systems
• Ideal for high-power converters and UPS units
• Can be used for induction heating and welding power stages
• Suitable for renewable-energy inverter power sections

What mounting format does it require for thermal management?


It is supplied in a TO-247 through-hole package, allowing direct attachment to standard heatsinks and using conventional screw mounting for efficient heat transfer.

What environmental extremes can it withstand during operation?


The device is specified to operate from -40 °C up to 175 °C, enabling use in harsh thermal environments and elevated junction temperatures.

What gate drive limitations should be observed?


The maximum permissible gate-emitter voltage is 20V, so gate drivers must remain within this range to prevent gate-oxide stress.

Is this component suited for automotive-grade deployments?


It is RoHS-compliant but is not classified as an automotive-standard device, so it should be evaluated against vehicle-specific requirements before use.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง