Infineon IHW40N65R6XKSA1, Type N-Channel IGBT, 83 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247, Surface
- RS Stock No.:
- 225-0574
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW40N65R6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB477.33
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB510.745
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 20 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB95.466 | THB477.33 |
| 10 - 95 | THB92.60 | THB463.00 |
| 100 - 245 | THB89.822 | THB449.11 |
| 250 - 495 | THB87.128 | THB435.64 |
| 500 + | THB84.512 | THB422.56 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 225-0574
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW40N65R6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 83A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 210W | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.3mm | |
| Length | 16.3mm | |
| Series | TrenchStop | |
| Width | 21.5 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 83A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 210W | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.3mm | ||
Length 16.3mm | ||
Series TrenchStop | ||
Width 21.5 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IHW40N65R6 is the 650 V, 40 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.
Frequency range 20-75 kHz
Low EMI
Very tight parameter distribution
Maximum operating TJ of 175 °C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 83 A 650 V Surface
- Infineon IHW50N65R6XKSA1 83 A 650 V Through Hole
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R020M2HXKSA1
- Infineon 83 A 650 V Through Hole
- Infineon IKQ120N65EH7XKSA1 3-Pin PG-TO-247-3-PLUS-N, Through Hole
- Infineon IKWH50N65EH7XKSA1 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8, Through Hole
- Infineon IKWH100N65EH7XKSA1 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8, Through Hole
- Infineon IKWH40N65EH7XKSA1 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8, Through Hole