Infineon IKP40N65H5XKSA1, Type N-Channel IGBT in TRENCHSTOP TM 5 Technology, 74 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- RS Stock No.:
- 215-6663
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP40N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB568.39
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB608.175
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB113.678 | THB568.39 |
| 10 - 95 | THB110.838 | THB554.19 |
| 100 - 245 | THB108.066 | THB540.33 |
| 250 - 495 | THB105.364 | THB526.82 |
| 500 + | THB102.73 | THB513.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-6663
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP40N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 74A | |
| Product Type | IGBT in TRENCHSTOP TM 5 Technology | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Standards/Approvals | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 74A | ||
Product Type IGBT in TRENCHSTOP TM 5 Technology | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Standards/Approvals Pb-free lead plating, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 650v fifth generation duopack insulated-gate bipolar transistor and diode of high speed switching series in trenchstop technology.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 74 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW40N65F5FKSA1 74 A 650 V Through Hole
- Infineon IKP40N65F5XKSA1 74 A 650 V Through Hole
- Infineon IGP40N65H5XKSA1 74 A 650 V Through Hole
- Infineon AIKW40N65DF5XKSA1 74 A 650 V Through Hole
- Infineon IGW40N65F5FKSA1 74 A 650 V Through Hole
- Infineon 74 A 650 V Through Hole
- Infineon 74 A 650 V Through Hole
