Infineon, Type N-Channel IGBT in TRENCHSTOP TM 5 Technology, 74 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- RS Stock No.:
- 215-6662
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP40N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,954.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,161.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 400 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 100 | THB59.09 | THB2,954.50 |
| 150 - 200 | THB56.733 | THB2,836.65 |
| 250 + | THB55.253 | THB2,762.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-6662
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP40N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT in TRENCHSTOP TM 5 Technology | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 74A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT in TRENCHSTOP TM 5 Technology | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 74A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals Pb-free lead plating, RoHS | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 650v fifth generation duopack insulated-gate bipolar transistor and diode of high speed switching series in trenchstop technology.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKP40N65H5XKSA1 74 A 650 V Through Hole
- Infineon 74 A 650 V Through Hole
- Infineon 74 A 650 V Through Hole
- Infineon 74 A 650 V Surface
- Infineon 74 A 650 V Surface
- Infineon IKP40N65F5XKSA1 74 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW40N65F5FKSA1 74 A 650 V Through Hole
- Infineon IGP40N65H5XKSA1 74 A 650 V Through Hole