Infineon IGW40N65F5FKSA1, Type N-Channel IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 110-7425
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW40N65F5FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*
THB563.292
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB602.724
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 4 - 4 | THB140.823 | THB563.29 |
| 8 - 12 | THB137.305 | THB549.22 |
| 16 + | THB135.193 | THB540.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 110-7425
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW40N65F5FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 74A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC, RoHS, Pb-free lead plating | |
| Series | TrenchStop | |
| Energy Rating | 0.46mJ | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 74A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC, RoHS, Pb-free lead plating | ||
Series TrenchStop | ||
Energy Rating 0.46mJ | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
• Collector-emitter voltage range 600 to 650V
• Very low VCEsat
• Low turn-off losses
• Short tail current
• Low EMI
• Maximum junction temperature 175°C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 74 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW40N65F5FKSA1 74 A 650 V Through Hole
- Infineon AIKW40N65DF5XKSA1 74 A 650 V Through Hole
- Infineon IKP40N65F5XKSA1 74 A 650 V Through Hole
- Infineon 74 A 650 V Through Hole
- Infineon IGP40N65H5XKSA1 74 A 650 V Through Hole
- Infineon 74 A 650 V Surface
- Infineon IKB40N65EH5ATMA1 74 A 650 V Surface