Infineon IHW50N65R5XKSA1, Type N-Channel Reverse Conducting IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB225.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB241.08

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB112.65THB225.30
10 - 98THB109.835THB219.67
100 - 248THB107.085THB214.17
250 - 498THB104.405THB208.81
500 +THB101.80THB203.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-6646
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IHW50N65R5XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Product Type

Reverse Conducting IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

282W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.35V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Series

Resonant Switching

Automotive Standard

No

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง