Infineon IHW50N65R5XKSA1, Type N-Channel Reverse Conducting IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 215-6646
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW50N65R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB225.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB241.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB112.65 | THB225.30 |
| 10 - 98 | THB109.835 | THB219.67 |
| 100 - 248 | THB107.085 | THB214.17 |
| 250 - 498 | THB104.405 | THB208.81 |
| 500 + | THB101.80 | THB203.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-6646
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW50N65R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 80A | |
| Product Type | Reverse Conducting IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 282W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.35V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022 | |
| Series | Resonant Switching | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 80A | ||
Product Type Reverse Conducting IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 282W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.35V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022 | ||
Series Resonant Switching | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 80 A 650 V Through Hole
- Infineon 80 A 1350 V Through Hole
- Infineon IHW40N135R5XKSA1 80 A 1350 V Through Hole
- Infineon 65 A 650 V Through Hole
- Infineon 83 A 650 V Through Hole
- Infineon IHW50N65R6XKSA1 83 A 650 V Through Hole
- Infineon IHW30N65R6XKSA1 65 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW50N65EH5XKSA1 80 A 650 V Through Hole
