Infineon IHW30N65R6XKSA1, Type N-Channel Reverse Conducting IGBT, 65 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB456.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB488.95

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB91.39THB456.95
10 - 95THB88.648THB443.24
100 - 245THB85.99THB429.95
250 - 495THB83.412THB417.06
500 +THB80.912THB404.56

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
225-0572
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IHW30N65R6XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Reverse Conducting IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

65A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

160W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

41.9mm

Series

IHW30N65R6

Height

5.3mm

Width

16.3 mm

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

The Infineon IHW30N65R6 is the 650 V, 30 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.

High ruggedness and stable temperature behaviour

Low EMI

Pb-free lead plating, RoHS compliant

Powerful monolithic reverse-conducting diode with low forward voltage

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง