Infineon, Type N-Channel Reverse Conducting IGBT, 80 A 1350 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB3,254.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,482.01

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 150 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 60THB108.474THB3,254.22
90 - 120THB104.145THB3,124.35
150 +THB101.431THB3,042.93

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
215-6642
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IHW40N135R5XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Product Type

Reverse Conducting IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1350V

Maximum Power Dissipation Pd

394W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

Resonant Switching

Standards/Approvals

JESD-022, RoHS

Automotive Standard

No

Infineon Resonant Switching Series Reverse Conducting IGBT, 1350V Max Collector Emitter Voltage, 80A Max Continuous Collector Current - IHW40N135R5XKSA1


This reverse-conducting IGBT is a high-voltage switching device designed for resonant converter topologies and power-electronics applications. It combines insulated-gate control with an integrated reverse-conduction path to simplify circuit design in high-voltage systems while operating across a wide ambient temperature range.

Features and Benefits:


• 1350V collector-emitter rating enables high-voltage switching capability
• 80A continuous collector current supports substantial load currents
• 1.65V typical Vce(sat) reduces conduction losses at high currents
• ±25V gate-emitter tolerance allows robust gate-drive margins
• 394W maximum power dissipation manages elevated thermal stress
• TO-247 through-hole package simplifies heatsinking and assembly

Applications


• Suitable for resonant converters in industrial power supplies
• Ideal for high-voltage inverters and switch-mode supplies
• Used with medium-power motor drives requiring reverse conduction
• Can be used for switch networks in renewable-energy systems
• Suitable for laboratory and bench prototyping with through-hole mounting

What temperature extremes can be expected during operation?


The device is specified to function from -40 °C up to 175 °C junction temperature, accommodating high-temperature switching environments.

How does the device simplify gate-drive design?


The gate-emitter rating of ±25V provides a wide allowable gate-voltage range, reducing sensitivity to drive transients and enabling flexible drive circuitry.

What package considerations affect thermal management?


Housed in a TO-247 through‑hole package, it allows direct attachment to external heatsinks and straightforward thermal interfacing for effective power dissipation.

Which regulatory or environmental standards apply to this component?


It conforms to RoHS and JESD-022 handling standards relevant to moisture sensitivity and hazardous-substance restrictions.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง