Infineon IHW20N135R5XKSA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 40 A 1350 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB636.62

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB681.185

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 25 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 215 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB127.324THB636.62
10 - 95THB124.142THB620.71
100 - 245THB121.038THB605.19
250 - 495THB118.01THB590.05
500 +THB115.06THB575.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-6636
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IHW20N135R5XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1350V

Maximum Power Dissipation Pd

310W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±25 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.85V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.21mm

Series

Resonant Switching

Width

16.13 mm

Length

42mm

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode offers high breakdown voltage of 1350v.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง