STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB478.56

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB512.06

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB95.712THB478.56
10 - 10THB93.318THB466.59
15 +THB91.88THB459.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
204-9878
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGWA30H65DFB2
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

50A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.1mm

Length

15.9mm

Width

21.1 mm

Series

STG

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง