STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface
- RS Stock No.:
- 204-9867
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGB30H65DFB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB55,323.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB59,196.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB55.323 | THB55,323.00 |
| 2000 - 3000 | THB54.216 | THB54,216.00 |
| 4000 + | THB53.132 | THB53,132.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 204-9867
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGB30H65DFB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.6mm | |
| Series | Trench Gate Field Stop | |
| Width | 9.35 mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.6mm | ||
Series Trench Gate Field Stop | ||
Width 9.35 mm | ||
Length 10.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGB30H65DFB2 50 A 650 V Surface
- STMicroelectronics 50 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics 50 A 650 V Through Hole
- Infineon 50 A 650 V Surface
- Infineon IGB50N65H5ATMA1 50 A 650 V Surface
- STMicroelectronics STGWA30H65DFB2 50 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWA30HP65FB2 50 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics 20 A 600 V Surface