STMicroelectronics STGB30H65DFB2, N-Channel IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface
- RS Stock No.:
- 204-9867
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGB30H65DFB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 2000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB2,214.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB55,323.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB59,196.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB55.323 | THB55,323.00 | - |
| 2000 - 3000 | THB54.216 | THB54,216.00 | THB2,214.00 |
| 4000 + | THB53.132 | THB53,132.00 | THB8,764.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 204-9867
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGB30H65DFB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | Trench Gate Field Stop | |
| Length | 10.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.35mm | |
| Height | 4.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series Trench Gate Field Stop | ||
Length 10.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.35mm | ||
Height 4.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGB30H65DFB2 50 A 650 V Surface
- Infineon IGB50N65H5ATMA1 50 A 650 V Surface
- Infineon IKB40N65EF5ATMA1 74 A 650 V Surface
- onsemi AFGB40T65SQDN 80 A 650 V Surface
- Infineon IKB15N65EH5ATMA1 30 A 650 V Surface
- Infineon IKB40N65ES5ATMA1 79 A 650 V Surface
- STMicroelectronics 50 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWA30H65DFB2 50 A 650 V Through Hole