STMicroelectronics STGWA30HP65FB2, Type N-Channel IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247 LL, Through Hole
- RS Stock No.:
- 201-4418
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA30HP65FB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB483.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB517.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 415 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB96.71 | THB483.55 |
| 10 - 10 | THB94.294 | THB471.47 |
| 15 + | THB92.844 | THB464.22 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 201-4418
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA30HP65FB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Package Type | TO-247 LL | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.9mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | STG | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Package Type TO-247 LL | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.9mm | ||
Height 5.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series STG | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package, has a positive VCE(sat) temperature coefficient.
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics 50 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics 50 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWA30H65DFB2 50 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG IGBT 3-Pin TO-247 LL, Through Hole
- onsemi 50 A 650 V Through Hole
- Infineon 50 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH50N65WR6XKSA1 50 A 650 V Through Hole
- onsemi AFGHL50T65SQ 50 A 650 V Through Hole