Infineon IKWH50N65WR6XKSA1, Type N-Channel IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 232-6743
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKWH50N65WR6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB262.96
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB281.36
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB131.48 | THB262.96 |
| 10 - 18 | THB128.195 | THB256.39 |
| 20 - 28 | THB124.995 | THB249.99 |
| 30 + | THB121.875 | THB243.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 232-6743
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKWH50N65WR6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 205W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.85V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.21mm | |
| Length | 21.1mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Series | TRENCHSTOPTM 5 WR6 | |
| Width | 16.13 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 205W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.85V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.21mm | ||
Length 21.1mm | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Series TRENCHSTOPTM 5 WR6 | ||
Width 16.13 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's 50 A reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR6 IGBT comes in high creep age and clearance TO-247-3-HCC package. It is specifically optimized for PFC for RAC / CAC and Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR6 IGBT allows access to the high performance technology also for cost sensitive customers. WR6 is offering lowest VCEsat, and Esw which allows the switching frequency up to 75 kHz. WR6 IGBT also enable more reliable design with the increased clearances and creep age distances.
Monolithically integrated diode
Lowest switching losses
Improved reliability against package contamination
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 50 A 650 V Through Hole
- onsemi AFGHL50T65SQ 50 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW00TS65HRC11 50 A 650 V Through Hole
- ROHM RGTV00TS65DGC13 50 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW50TS65DGC13 50 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW00TS65EHRC11 50 A 650 V Through Hole
- ROHM RGWX5TS65HRC11 50 A 650 V Through Hole
- ROHM RGWX5TS65EHRC11 50 A 650 V Through Hole