STMicroelectronics STGF20H65DFB2, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole

RS Stock No.:: 204-9872
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STGF20H65DFB2
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGF20H65DFB2, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB304.76

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB326.095

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB60.952	THB304.76
15 - 20	THB59.428	THB297.14
25 +	THB58.514	THB292.57

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 204-9872
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STGF20H65DFB2
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic	40A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	45W
	Package Type	TO-220FP
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	1MHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	STG
	Width	16.4 mm
	Length	10.4mm
	Height	4.6mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic 40A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 45W
	Package Type TO-220FP
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 1MHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Series STG
	Width 16.4 mm
	Length 10.4mm
	Height 4.6mm
	Automotive Standard No

Datasheet - STGF20H65DFB2

COO (Country of Origin):: CN

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

STMicroelectronics STGF20H65DFB2, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง