MPN

Infineon IKW40N65H5FKSA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS Stock No.:: 166-0960
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKW40N65H5FKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IKW40N65H5FKSA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB3,344.01

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,578.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 - 30	THB111.467	THB3,344.01
60 - 90	THB109.044	THB3,271.32
120 +	THB106.621	THB3,198.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 166-0960
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKW40N65H5FKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	74 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	250 W
	Package Type	TO-247
	Mounting Type	Through Hole
	Channel Type	N
	Pin Count	3
	Transistor Configuration	Single
	Dimensions	16.13 x 5.21 x 21.1mm
	Energy Rating	0.51mJ
	Maximum Operating Temperature	+175 °C
	Gate Capacitance	2500pF
	Minimum Operating Temperature	-40 °C

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 74 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 250 W
	Package Type TO-247
	Mounting Type Through Hole
	Channel Type N
	Pin Count 3
	Transistor Configuration Single
	Dimensions 16.13 x 5.21 x 21.1mm
	Energy Rating 0.51mJ
	Maximum Operating Temperature +175 °C
	Gate Capacitance 2500pF
	Minimum Operating Temperature -40 °C

COO (Country of Origin):: MY

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

• Collector-emitter voltage range 600 to 650V
• Very low VCEsat
• Low turn-off losses
• Short tail current
• Low EMI
• Maximum junction temperature 175°C

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Infineon IKW40N65H5FKSA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง