STMicroelectronics STGWA20HP65FB2, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
204-3946
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGWA20HP65FB2
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

Maximum junction temperature of 175°C

Co-packaged protection diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive temperature coefficient