Infineon IGB50N65H5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface
- RS Stock No.:
- 218-4390
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGB50N65H5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB711.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB760.79
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,970 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | THB142.204 | THB711.02 |
| 250 - 495 | THB138.65 | THB693.25 |
| 500 + | THB136.514 | THB682.57 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-4390
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGB50N65H5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 270W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.31mm | |
| Height | 4.57mm | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 270W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.31mm | ||
Height 4.57mm | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 80 A.
Higher power density design
50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Mild positive temperature coefficient
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 50 A 650 V Surface
- STMicroelectronics 50 A 650 V Surface
- STMicroelectronics STGB30H65DFB2 50 A 650 V Surface
- Infineon 50 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH50N65WR6XKSA1 50 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW50TS65DGC13 50 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW00TS65HRC11 50 A 650 V Through Hole
- ROHM RGTV00TS65DGC13 50 A 650 V Through Hole