Infineon IGB50N65H5ATMA1, N-Channel IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface

RS Stock No.:: 218-4390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IGB50N65H5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IGB50N65H5ATMA1, N-Channel IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 250 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB888.50

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB711.02

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB760.79

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,970 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
5 - 245	THB142.204	THB711.02	-
250 - 495	THB138.65	THB693.25	THB888.50
500 +	THB136.514	THB682.57	THB2,845.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 218-4390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IGB50N65H5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	50A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	270W
	Number of Transistors	1
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Channel Type	N
	Pin Count	3
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.65V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 ±30 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	4.57mm
	Series	High Speed Fifth Generation
	Width	9.45mm
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22
	Length	10.31mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 50A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 270W
	Number of Transistors 1
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Channel Type N
	Pin Count 3
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±30 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 4.57mm
	Series High Speed Fifth Generation
	Width 9.45mm
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22
	Length 10.31mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IGB50N65H5ATMA1

The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 80 A.

Higher power density design

50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability

Mild positive temperature coefficient

Infineon IGB50N65H5ATMA1, N-Channel IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง