Infineon IGB50N65H5ATMA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-263

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB711.02

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB760.79

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,990 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 245THB142.204THB711.02
250 - 495THB138.65THB693.25
500 +THB136.514THB682.57

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
218-4390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IGB50N65H5ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

270 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-263

Channel Type

N

Pin Count

3

The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 80 A.

Higher power density design
50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Mild positive temperature coefficient

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง