STMicroelectronics STGWA30HP65FB, N-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 202-5515
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA30HP65FB
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 202-5515
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA30HP65FB
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 30A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 260W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.9mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 21.1mm | |
| Series | STG | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 30A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 260W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.9mm | ||
Height 5.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 21.1mm | ||
Series STG | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics high speed HB series IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter.
Low thermal resistance
Very fast soft recovery antiparallel diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics 30 A 650 V Through Hole
- Infineon 30 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH30N65WR6XKSA1 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65EHRC11 30 A 650 V Through Hole
- Infineon 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65DGC13 30 A 650 V Through Hole
- Infineon IKP15N65F5XKSA1 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65GC13 30 A 650 V Through Hole
