STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 60 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB4,659.81

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,986.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB155.327THB4,659.81
60 - 90THB151.951THB4,558.53
120 +THB148.575THB4,457.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
206-6065
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGWA30IH65DF
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

60A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

108W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

4

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.05V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.9mm

Height

5.1mm

Series

STG

Standards/Approvals

RoHS

Width

21.1 mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Designed for soft commutation only

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Low drop voltage freewheeling co-packaged diode

Positive VCE(sat) temperature coefficient

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง