IXYS IXYH30N120C3D1, N-Channel high Speed IGBT, 66 A 1.2 kV, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS Stock No.:: 168-4779
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXYH30N120C3D1
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS IXYH30N120C3D1, N-Channel high Speed IGBT, 66 A 1.2 kV, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 60 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB403.56

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB9,281.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,931.62

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

120 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*	การประหยัด
30 - 30	THB309.396	THB9,281.88	-
60 - 90	THB302.67	THB9,080.10	THB403.56
120 +	THB295.944	THB8,878.32	THB1,614.24

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-4779
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXYH30N120C3D1
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Maximum Continuous Collector Current Ic	66A
	Product Type	high Speed IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1.2kV
	Maximum Power Dissipation Pd	416W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	N
	Pin Count	3
	Switching Speed	50kHz
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	3.3V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	International Standard Package
	Length	20.32mm
	Series	GenX3TM
	Width	16.26mm
	Automotive Standard	No
	Energy Rating	400mJ

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Maximum Continuous Collector Current Ic 66A
	Product Type high Speed IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1.2kV
	Maximum Power Dissipation Pd 416W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 50kHz
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 3.3V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals International Standard Package
	Length 20.32mm
	Series GenX3TM
	Width 16.26mm
	Automotive Standard No
	Energy Rating 400mJ

COO (Country of Origin):: US

IGBT Discretes, IXYS XPT series

The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.

High power density and low VCE(sat)

Square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA) up to rated breakdown voltage

Short circuit capability for 10usec

Positive on-state voltage temperature coefficient

Optional co-packed Sonic-FRD™ or HiPerFRED™ diodes

International standard and proprietary high voltage packages

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

IXYS IXYH30N120C3D1, N-Channel high Speed IGBT, 66 A 1.2 kV, 3-Pin TO-247, Through Hole

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

IGBT Discretes, IXYS XPT series

IGBT Discretes & Modules, IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง