IXYS IXYH30N120C3, N-Channel high Speed IGBT, 30 A 1.2 kV, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 60 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB5,925.57

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,340.35

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
การประหยัด
30 - 30THB197.519THB5,925.57-
60 - 90THB193.225THB5,796.752%
120 +THB188.931THB5,667.934%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
146-1766
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXYH30N120C3
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Product Type

high Speed IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

50kHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

3.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

16.26mm

Standards/Approvals

International Standard Packages

Series

1200V XPT GenX3

Length

20.32mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
US

IGBT Discretes, IXYS XPT series


The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.

High power density and low VCE(sat)

Square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA) up to rated breakdown voltage

Short circuit capability for 10usec

Positive on-state voltage temperature coefficient

Optional co-packed Sonic-FRD™ or HiPerFRED™ diodes

International standard and proprietary high voltage packages

IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง