IXYS IXYB82N120C3H1 IGBT, 164 A 1200 V, 3-Pin PLUS264, Through Hole

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*

THB20,150.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB21,561.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 25 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
25 - 25THB806.028THB20,150.70
50 - 75THB788.506THB19,712.65
100 +THB770.984THB19,274.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
920-1003
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXYB82N120C3H1
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

164 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

1.04 kW

Package Type

PLUS264

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

50kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

20.29 x 5.31 x 26.59mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

COO (Country of Origin):
US

IGBT Discretes, IXYS XPT series


The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.

High power density and low VCE(sat)
Square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA) up to rated breakdown voltage
Short circuit capability for 10usec
Positive on-state voltage temperature coefficient
Optional co-packed Sonic-FRD™ or HiPerFRED™ diodes
International standard and proprietary high voltage packages

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง