Infineon AIKW50N65RF5XKSA1, N-Channel IGBT Single Transistor IC, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 228-6508
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIKW50N65RF5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 480 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 240 ชิ้น)*
THB40,000.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB42,801.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 480 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 240 - 240 | THB166.67 | THB40,000.80 | - |
| 480 - 480 | THB160.26 | THB38,462.40 | 3% |
| 720 + | THB158.231 | THB37,975.44 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-6508
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIKW50N65RF5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 80A | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±2 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101/100 | |
| Width | 16.3mm | |
| Length | 41.9mm | |
| Height | 5.3mm | |
| Series | TrenchStop | |
| Automotive Standard | AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 80A | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±2 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101/100 | ||
Width 16.3mm | ||
Length 41.9mm | ||
Height 5.3mm | ||
Series TrenchStop | ||
Automotive Standard AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon AIKW50N65RF5XKSA1 80 A 650 V Through Hole
- Infineon AIKW75N60CTXKSA1 80 A 600 V Through Hole
- Infineon AIKW50N60CTXKSA1 80 A 600 V Through Hole
- Infineon IKY40N120CS6XKSA1 80 A 1200 V Through Hole
- Infineon AIGW50N65F5XKSA1 IGBT Single Transistor IC 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IHW30N65R5XKSA1 60 A 650 V Through Hole
- Infineon IKB40N65EH5ATMA1 74 A 650 V Surface
- Infineon IKW30N65EL5XKSA1 85 A 650 V Through Hole
