IXYS IXXK100N60C3H1, Type N-Channel IGBT, 100 A 600 V, 3-Pin TO-264, Through Hole
- RS Stock No.:
- 125-8050
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 302-53-438
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXXK100N60C3H1
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB969.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,037.58
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 33 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 6 | THB969.70 |
| 7 - 12 | THB945.46 |
| 13 + | THB930.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 125-8050
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 302-53-438
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXXK100N60C3H1
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 100A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 695W | |
| Package Type | TO-264 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 60kHz | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | Planar | |
| Standards/Approvals | No | |
| Energy Rating | 600mJ | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 100A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 695W | ||
Package Type TO-264 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 60kHz | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series Planar | ||
Standards/Approvals No | ||
Energy Rating 600mJ | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.