IXYS IXXK110N65B4H1 IGBT, 570 A 650 V, 3-Pin TO-264, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,194.34

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,277.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 18 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 279 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 6THB1,194.34
7 - 12THB1,164.45
13 +THB1,146.53

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
125-8051
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXXK110N65B4H1
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

570 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

880 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-264

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

10 → 30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

20.3 x 5.3 x 26.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

3mJ

IGBT Discretes, IXYS


For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง