IXYS IXXK110N65B4H1, Type N-Channel IGBT, 570 A 650 V, 3-Pin TO-264, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,194.34

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,277.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 6THB1,194.34
7 - 12THB1,164.45
13 +THB1,146.53

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
125-8051
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXXK110N65B4H1
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Maximum Continuous Collector Current Ic

570A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

880W

Package Type

TO-264

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

30kHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

Trench

Energy Rating

3mJ

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง