onsemi NXH800H120L7QDSG, Type N, Type P-Channel Half Bridge IGBT Power Module, 800 A 1200 V, 11-Pin PIM11, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB10,785.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB11,540.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 24 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB10,785.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
277-059
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NXH800H120L7QDSG
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

IGBT Power Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

800A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

2

Configuration

Half Bridge

Package Type

PIM11

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N, Type P

Pin Count

11

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.05V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

152mm

Width

62.15 mm

Height

20.8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The ON Semiconductor Half Bridge IGBT Power Module features integrated Field Stop Trench 7 IGBTs and Gen. 7 diodes, providing lower conduction and switching losses. This design enables high efficiency and superior reliability. The module is configured as a 1200V, 800A 2-in-1 half-bridge, making it Ideal for applications that require robust performance and optimal power conversion efficiency.

NTC thermistor

Isolated base plate

Solderable pins

Low inductive layout

Pb free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง