Infineon FS1150R08A8P3LBCHPSA1, Type N-Channel Half Bridge IGBT, 1.15 kA 750 V AQG-324, Screw
- RS Stock No.:
- 349-028
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS1150R08A8P3LBCHPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB41,744.07
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB44,666.15
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB41,744.07 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-028
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS1150R08A8P3LBCHPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 1.15kA | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 750V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 10000W | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Package Type | AQG-324 | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Mount Type | Screw | |
| Channel Type | Type N | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.09V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, UL 94 V0 | |
| Automotive Standard | AQG 324 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 1.15kA | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 750V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 10000W | ||
Number of Transistors 6 | ||
Package Type AQG-324 | ||
Configuration Half Bridge | ||
Mount Type Screw | ||
Channel Type Type N | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.09V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, UL 94 V0 | ||
Automotive Standard AQG 324 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Infineon HybridPACK Drive G2 module is a very compact six pack power module with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles. The power module implements Infineons next generation chip technology EDT3 750V, optimized for electric drive train applications, from mid to high range automotive power classes.
Low inductive design
4.2 kV DC 1 second insulation
High creepage and clearance distances
Direct cooled PinFin base plate
PCB and cooler assembly guidelines
PressFIT contact technology
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FS1150R08A8P3LMCHPSA1 600 A 750 V, Screw
- Infineon FF2400R12IP7PBPSA1 2400 A 1200 V Module, Screw
- Infineon FF1200XTR17T2P5PBPSA1 1200 A 1700 V, Screw
- Infineon FF2400R12IP7BPSA1 2400 A 1200 V Module, Screw
- Infineon FF1600R12IP7BOSA1 1600 A 1200 V PrimePACKTM2, Screw
- onsemi NXH800H120L7QDSG Type P-Channel Half Bridge IGBT Power Module 11-Pin PIM11, Through Hole
- Infineon FS03MR12A7MA2BHPSA1 310 A 1200 V HybridPACK Drive G2, Screw
- Infineon FF1800XTR17T2P5PBPSA1 1800 A 1700 V XHP-2, Screw
