Infineon FS03MR12A7MA2BHPSA1, Type N-Channel Half Bridge IGBT, 310 A 1200 V HybridPACK Drive G2, Screw

ดู IGBTs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB80,814.68

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB86,471.71

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB80,814.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-191
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FS03MR12A7MA2BHPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

310A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Number of Transistors

6

Configuration

Half Bridge

Package Type

HybridPACK Drive G2

Mount Type

Screw

Channel Type

Type N

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

19 V

Maximum Operating Temperature

200°C

Width

100.5 mm

Length

154.5mm

Standards/Approvals

RoHS, UL 94 V0

Automotive Standard

AQG 324

COO (Country of Origin):
DE
The Infineon Power module implements the second generation CoolSiC Automotive MOSFET 1200V. Its an optimized for electric drive train applications, from mid to high range automotive power classes to high range commercial, construction and agricultural vehicles.

High power density

Direct cooled PinFin base plate

Integrated temp sensing diode

PressFIT contact technology

Compact design

Higher temperature cycling capability

Integrated diode temperature sensors

New plastic material

Better temperature capability

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง