Infineon FS1150R08A8P3LMCHPSA1, Type N-Channel Half Bridge IGBT, 600 A 750 V, Screw

ดู IGBTs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB41,744.07

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB44,666.15

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB41,744.07

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-029
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FS1150R08A8P3LMCHPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

600A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

750V

Number of Transistors

6

Maximum Power Dissipation Pd

1kW

Configuration

Half Bridge

Mount Type

Screw

Channel Type

Type N

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.22V

Maximum Operating Temperature

185°C

Standards/Approvals

RoHS, UL 94 V0

Automotive Standard

AQG 324

COO (Country of Origin):
DE
The Infineon HybridPACK Drive G2 module is a very compact six pack power module with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles. The power module implements Infineon’s next generation chip technology EDT3 750V, optimized for electric drive train applications, from mid to high range automotive power classes.

Low inductive design

4.2 kV DC 1 second insulation

High creepage and clearance distances

Direct cooled PinFin base plate

PCB and cooler assembly guidelines

PressFIT contact technology

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง