IXYS, Type N-Channel IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-268, Through Hole

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB11,257.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB12,045.36

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 270 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB375.245THB11,257.35
60 - 90THB367.087THB11,012.61
120 +THB358.929THB10,767.87

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
168-4411
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXGT30N120B3D1
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

50A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Package Type

TO-268

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

160ns

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

3.5V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

Mid-Frequency

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง