STMicroelectronics STGB3NC120HDT4, Type N-Channel IGBT, 14 A 1200 V, 3-Pin TO-263, Surface
- RS Stock No.:
- 151-940
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGB3NC120HDT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*
THB393.59
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB421.14
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 925 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 03 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB78.718 | THB393.59 |
| 50 - 95 | THB74.742 | THB373.71 |
| 100 - 495 | THB69.236 | THB346.18 |
| 500 + | THB63.728 | THB318.64 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-940
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGB3NC120HDT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 14A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 15ns | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1mm | |
| Length | 16mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 14A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75W | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 15ns | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1mm | ||
Length 16mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics IGBT shows an excellent trade off between low conduction losses and fast switching performance. It is designed in Power MESH technology combined with high voltage ultrafast diode.
High voltage capability
High speed
Very soft ultrafast recovery anti parallel diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGB3NC120HDT4 14 A 1200 V Surface
- onsemi 35 A 1200 V Surface
- onsemi HGT1S10N120BNST 35 A 1200 V Surface
- Infineon FF400R07A01E3S6XKSA2 400 A 700 V Through Hole
- STMicroelectronics 20 A 600 V Surface
- STMicroelectronics 50 A 650 V Surface
- STMicroelectronics 25 A 450 V Surface
- STMicroelectronics 30 A 420 V Surface