STMicroelectronics STGB3NC120HDT4, N-Channel IGBT, 14 A 1200 V, 3-Pin TO-263, Surface
- RS Stock No.:
- 151-940
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGB3NC120HDT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
- RS Stock No.:
- 151-940
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGB3NC120HDT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 14A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 15ns | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.4mm | |
| Length | 16mm | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 14A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75W | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 15ns | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.4mm | ||
Length 16mm | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics IGBT shows an excellent trade off between low conduction losses and fast switching performance. It is designed in Power MESH technology combined with high voltage ultrafast diode.
High voltage capability
High speed
Very soft ultrafast recovery anti parallel diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGB3NC120HDT4 14 A 1200 V Surface
- onsemi 35 A 1200 V Surface
- onsemi HGT1S10N120BNST 35 A 1200 V Surface
- STMicroelectronics 30 A 1200 V Through Hole
- STMicroelectronics STGW30NC120HD 30 A 1200 V Through Hole
- STMicroelectronics STGYA75H120DF2 150 A 1200 V Through Hole
- STMicroelectronics 5 A 1200 V Surface
- STMicroelectronics 6 A 1200 V Through Hole
