Infineon 1 MB 2 Wire I2C FRAM 8-Pin SOIC, FM24V10-G

RS Stock No.:: 125-4215
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FM24V10-G
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 1 MB 2 Wire I2C FRAM 8-Pin SOIC, FM24V10-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB557.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB596.63

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อกของผู้ผลิต

พร้อมส่งจากวันที่ 28 พฤษภาคม 2569

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 24	THB557.60
25 - 48	THB543.67
49 +	THB535.29

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 125-4215
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FM24V10-G
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	FRAM
	Memory Size	1MB
	Organisation	128K x 8 bit
	Interface Type	2 Wire I2C
	Data Bus Width	8bit
	Maximum Random Access Time	450ns
	Mount Type	Surface
	Maximum Clock Frequency	3.4MHz
	Package Type	SOIC
	Pin Count	8
	Width	3.98 mm
	Height	1.38mm
	Length	4.97mm
	Standards/Approvals	No
	Maximum Operating Temperature	85°C
	Number of Words	128k
	Automotive Standard	AEC-Q100
	Minimum Supply Voltage	2V
	Number of Bits per Word	8
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Supply Voltage	3.6V

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type FRAM
	Memory Size 1MB
	Organisation 128K x 8 bit
	Interface Type 2 Wire I2C
	Data Bus Width 8bit
	Maximum Random Access Time 450ns
	Mount Type Surface
	Maximum Clock Frequency 3.4MHz
	Package Type SOIC
	Pin Count 8
	Width 3.98 mm
	Height 1.38mm
	Length 4.97mm
	Standards/Approvals No
	Maximum Operating Temperature 85°C
	Number of Words 128k
	Automotive Standard AEC-Q100
	Minimum Supply Voltage 2V
	Number of Bits per Word 8
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Supply Voltage 3.6V

FM24V10 Datasheet

FRAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory

Fast write speed

High endurance

Low power consumption

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Infineon 1 MB 2 Wire I2C FRAM 8-Pin SOIC, FM24V10-G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

FRAM, Cypress Semiconductor

FRAM (Ferroelectric RAM)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง