Infineon 1 MB Serial-I2C FRAM 8-Pin SOIC-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB510.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB546.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 980 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB510.90
10 - 24THB495.57
25 - 49THB475.75
50 - 99THB451.96
100 +THB424.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-7383
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FM24VN10-G
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Memory Size

1MB

Product Type

FRAM

Organisation

128k x 8 bit

Interface Type

Serial-I2C

Data Bus Width

8bit

Maximum Clock Frequency

3.4MHz

Package Type

SOIC-8

Pin Count

8

Standards/Approvals

RoHS

Maximum Operating Temperature

85°C

Minimum Supply Voltage

2V

Number of Words

128k

Number of Bits per Word

8

Automotive Standard

No

Maximum Supply Voltage

3.6V

Minimum Operating Temperature

40°C

The Infineon FRAM is a 1 Mbit non volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is non volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by EEPROM and other non volatile memories. Unlike EEPROM, it performs write operations at bus speed. No write delays are incurred. Data is written to the memory array immediately after each byte is successfully transferred to the device. The next bus cycle can commence without the need for data polling. In addition, the product offers substantial write endurance compared with other non volatile memories.

RoHS compliant

Low power consumption

Fast 2 wire Serial interface

High endurance 100 trillion read and write

Advanced high reliability ferroelectric process

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง