Infineon 1 MB 2 Wire I2C FRAM 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 188-5405
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FM24V10-G
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 97 ชิ้น)*
THB53,526.637
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB57,273.456
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | THB551.821 | THB53,526.64 |
| 194 - 291 | THB539.681 | THB52,349.06 |
| 388 + | THB528.093 | THB51,225.02 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-5405
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FM24V10-G
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Memory Size | 1MB | |
| Product Type | FRAM | |
| Interface Type | 2 Wire I2C | |
| Data Bus Width | 8bit | |
| Maximum Random Access Time | 450ns | |
| Maximum Clock Frequency | 3.4MHz | |
| Mount Type | Surface | |
| Package Type | SOIC | |
| Pin Count | 8 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.38mm | |
| Length | 4.97mm | |
| Maximum Operating Temperature | 85°C | |
| Minimum Supply Voltage | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Number of Bits per Word | 8 | |
| Number of Words | 128k | |
| Automotive Standard | AEC-Q100 | |
| Maximum Supply Voltage | 3.6V | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Memory Size 1MB | ||
Product Type FRAM | ||
Interface Type 2 Wire I2C | ||
Data Bus Width 8bit | ||
Maximum Random Access Time 450ns | ||
Maximum Clock Frequency 3.4MHz | ||
Mount Type Surface | ||
Package Type SOIC | ||
Pin Count 8 | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.38mm | ||
Length 4.97mm | ||
Maximum Operating Temperature 85°C | ||
Minimum Supply Voltage 2V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Number of Bits per Word 8 | ||
Number of Words 128k | ||
Automotive Standard AEC-Q100 | ||
Maximum Supply Voltage 3.6V | ||
- COO (Country of Origin):
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 1 MB 2 Wire I2C FRAM 8-Pin SOIC, FM24V10-G
- Infineon 1 MB Serial-I2C FRAM 8-Pin SOIC-8
- Infineon 1 MB Serial-I2C FRAM 8-Pin SOIC-8, FM24VN10-G
- Infineon 1 MB SPI FRAM 8-Pin SOIC
- Infineon 64 kB 2 Wire I2C FRAM 8-Pin SOIC
- Infineon 256 kB 2 Wire I2C FRAM 8-Pin SOIC
- Infineon 16 kB 2 Wire I2C FRAM 8-Pin SOIC
- Infineon 16 MB Serial-I2C FRAM 8-Pin SOIC, FM24V10-GTR
