Infineon 64 kB 2 Wire I2C FRAM 8-Pin SOIC, FM24C64B-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู FRAM Memory ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB156.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB167.83

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 16 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 1,862 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 22THB78.425THB156.85
24 - 46THB76.465THB152.93
48 +THB75.29THB150.58

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
125-4209
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FM24C64B-G
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

FRAM

Memory Size

64kB

Organisation

8K x 8 bit

Interface Type

2 Wire I2C

Data Bus Width

8bit

Maximum Random Access Time

550ns

Maximum Clock Frequency

1MHz

Mount Type

Surface

Package Type

SOIC

Pin Count

8

Width

3.98 mm

Length

4.97mm

Height

1.38mm

Standards/Approvals

No

Maximum Operating Temperature

85°C

Number of Words

8K

Automotive Standard

AEC-Q100

Maximum Supply Voltage

5.5V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Minimum Supply Voltage

4.5V

Number of Bits per Word

8

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory

Fast write speed

High endurance

Low power consumption

FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง