Infineon BFP650H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 150 mA NPN, 13 V, 4-Pin TSFP-4-1
- RS Stock No.:
- 259-1446
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-40-489
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP650H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB224.975
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB240.725
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 2,875 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB8.999 | THB224.98 |
| 50 - 75 | THB8.729 | THB218.23 |
| 100 - 225 | THB8.292 | THB207.30 |
| 250 - 975 | THB7.712 | THB192.80 |
| 1000 + | THB7.018 | THB175.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1446
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-40-489
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP650H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 150mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 13V | |
| Package Type | TSFP-4-1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.2V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 110 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Maximum Transition Frequency ft | 42GHz | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Series | BFP | |
| Width | 2.1 mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Length | 2mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 150mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 13V | ||
Package Type TSFP-4-1 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 110 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Maximum Transition Frequency ft 42GHz | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Series BFP | ||
Width 2.1 mm | ||
Height 0.9mm | ||
Length 2mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP650FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon RF Bipolar Transistor 4.2 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon RF Bipolar Transistor 15 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon BFP520H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon BFP740H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 4.2 V, 4-Pin TSFP-4-1