onsemi FGD3245G2-F085 Digital Transistor, 450 V N-Channel 23 A Surface, 2-Pin

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB525.94

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB562.755

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 620THB105.188THB525.94
625 - 1245THB102.56THB512.80
1250 +THB100.984THB504.92

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
186-8035
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FGD3245G2-F085
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Digital Transistor

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

450V

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Continuous Collector Current Ic

23A

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.85V

Maximum Operating Temperature

175°C

Pin Count

2

Width

8.51 mm

Height

2.26mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

EcoSPARK-2

Length

6.73mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
PH
The FGB3245G2_F085 and FGD3245G2 are N-channel IGBTs designed in Fairchild's EcoSPARK® 2 technology, which helps in eliminating external protection circuitry. The technology is optimized for driving the coil in the harsh environment of automotive ignition systems and offers outstanding Vsat and SCIS Energy capability also at elevated operating temperatures. The logic level gate input is ESD protected and features an integrated gate resistor. An integrated zener-circuitry clamps the IGBT's collecter- to-emitter voltage at 450 V, which enables systems requiring a higher spark voltage.

SCIS Energy = 320 mJ at TJ = 25°C

Logic Level Gate Drive

Low Saturation Voltage

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง