onsemi FGD3245G2-F085 Digital Transistor, 450 (Breakdown) V, 2 + Tab-Pin DPAK

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB119,842.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB128,232.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB47.937THB119,842.50
5000 - 7500THB46.499THB116,247.50
10000 +THB45.104THB112,760.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
186-7394
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FGD3245G2-F085
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Maximum Collector Emitter Voltage

450 (Breakdown) V

Package Type

DPAK

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Pin Count

2 + Tab

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Typical Input Resistor

120 Ω

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.26mm

Base-Emitter Resistor

30kΩ

COO (Country of Origin):
PH
The FGB3245G2_F085 and FGD3245G2 are N-channel IGBTs designed in Fairchild's EcoSPARK® 2 technology, which helps in eliminating external protection circuitry. The technology is optimized for driving the coil in the harsh environment of automotive ignition systems and offers outstanding Vsat and SCIS Energy capability also at elevated operating temperatures. The logic level gate input is ESD protected and features an integrated gate resistor. An integrated zener-circuitry clamps the IGBT's collecter- to-emitter voltage at 450 V, which enables systems requiring a higher spark voltage.

SCIS Energy = 320 mJ at TJ = 25°C

Logic Level Gate Drive

Low Saturation Voltage

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง