onsemi Digital Transistor, -80 V PNP 10 A Surface, 2-Pin
- RS Stock No.:
- 186-7405
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJB45H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,501.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,606.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB30.03 | THB1,501.50 |
| 100 - 150 | THB29.128 | THB1,456.40 |
| 200 + | THB28.255 | THB1,412.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-7405
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJB45H11G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -80V | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1V | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 10A | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 60 | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Pin Count | 2 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 9.65mm | |
| Series | MJB45H | |
| Standards/Approvals | UL 94 V-0 | |
| Height | 8.64mm | |
| Width | 4.83 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -80V | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1V | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 10A | ||
Minimum DC Current Gain hFE 60 | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Pin Count 2 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 9.65mm | ||
Series MJB45H | ||
Standards/Approvals UL 94 V-0 | ||
Height 8.64mm | ||
Width 4.83 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJB44H11 (NPN) and MJB45H11 (PNP) are complementary devices.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage -
VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP capable
PbFree Packages are Available