onsemi MJB45H11T4G Digital Transistor, -80 V PNP Surface, 2-Pin
- RS Stock No.:
- 186-8039
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJB45H11T4G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB394.46
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB422.07
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 60 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | THB39.446 | THB394.46 |
| 200 - 390 | THB38.46 | THB384.60 |
| 400 + | THB37.867 | THB378.67 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-8039
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJB45H11T4G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -80V | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 80V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 60 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V dc | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 2 | |
| Length | 10.29mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -80V | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 80V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 60 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V dc | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 2 | ||
Length 10.29mm | ||
Height 4.83mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJB44H11 (NPN) and MJB45H11 (PNP) are complementary devices.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage -
VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP capable
PbFree Packages are Available