STMicroelectronics STPSC4G065UF, SCR 650 V, 4 A 400 A
- RS Stock No.:
- 609-136
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC4G065UF
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB125,280.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB134,050.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 + | THB25.056 | THB125,280.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 609-136
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC4G065UF
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | SCR | |
| Rated Average On-State Current Irms | 4A | |
| Thyristor Type | Diode | |
| Package Type | SMB | |
| Repetitive Peak Reverse Voltage VDRM | 650V | |
| Surge Current Rating | 400A | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | UL94 V0, ECOPACK2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type SCR | ||
Rated Average On-State Current Irms 4A | ||
Thyristor Type Diode | ||
Package Type SMB | ||
Repetitive Peak Reverse Voltage VDRM 650V | ||
Surge Current Rating 400A | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals UL94 V0, ECOPACK2 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MA
The STMicroelectronics 650V 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown at turn off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn off behaviour is independent of temperature.
None or negligible reverse recovery charge in application current range
Switching behaviour independent of temperature
High forward surge capability
ECOPACK2 compliant component
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics 4 A 400 A
- STMicroelectronics STPSC4G065UFY 4 A 400 A
- STMicroelectronics 115 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics 650 V 4 A Diode 2-Pin D2PAK
- STMicroelectronics 650 V 4 A Diode 2-Pin D2PAK STPSC4H065B-TR
- STMicroelectronics 650 V 4 A Schottky Diode SiC Schottky 2-Pin TO-220 STPSC4G065D
- STMicroelectronics 145 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 115 A 650 V Through Hole
