STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 115 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 206-6063
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGW75H65DFB2-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB6,983.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB7,472.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 60 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB232.78 | THB6,983.40 |
| 60 - 90 | THB227.719 | THB6,831.57 |
| 120 + | THB222.658 | THB6,679.74 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 206-6063
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGW75H65DFB2-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 115A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 357W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 4 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 21.1 mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Length | 15.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | STG | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 115A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 357W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 4 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 21.1 mm | ||
Height 5.1mm | ||
Length 15.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series STG | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 115 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics 145 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics 115 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics 60 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 115 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWA30IH65DF 60 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGW100H65FB2-4 145 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V, 4-Pin TO-247-4 STW68N65DM6-4AG